[20p-P04-1~21] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[20p-P04-13] Formation and characterization of SiO₂ by Atomic-Species-Enhanced Chemical Vapor Deposition

〇Ryota Ouchi¹, Sho Yamagata¹, Masakazu Furukawa², Akihiro Wakahara¹, Hiroshi Okada¹ (1.Toyohashi Univ. Tech., 2.Aries Res. Co., Ltd.)

Keywords:SiO2, chemical vapor deposition, deposition temperature dependence

我々は基底状態原子支援化学気相堆積(ASECVD)法を独自開発し、シリコン系絶縁膜の新規堆積手法を提案している。本手法では堆積反応に必要な低エネルギーの基底状態の原子による反応支援を用いるため低ダメージで高品質な膜堆積が期待できる。これまで堆積温度は350℃で行い、堆積温度の効果の評価をしていなかった。ここでは、ASECVD法によるSiO₂形成時の堆積温度の膜質への依存性を調べるため、膜堆積と堆積膜の評価を行った。