[20p-P04-1~21] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[20p-P04-13] 基底状態原子支援化学気相堆積法によるシリコン酸化膜の形成及び評価

〇尾内 亮太¹、山形 翔¹、古川 雅一²、若原 昭浩¹、岡田 浩¹ (1.豊橋技科大、2.アリエースリサーチ(有))

キーワード：SiO2、化学気相堆積法、堆積温度依存性

我々は基底状態原子支援化学気相堆積(ASECVD)法を独自開発し、シリコン系絶縁膜の新規堆積手法を提案している。本手法では堆積反応に必要な低エネルギーの基底状態の原子による反応支援を用いるため低ダメージで高品質な膜堆積が期待できる。これまで堆積温度は350℃で行い、堆積温度の効果の評価をしていなかった。ここでは、ASECVD法によるSiO₂形成時の堆積温度の膜質への依存性を調べるため、膜堆積と堆積膜の評価を行った。