[20p-P04-1~21] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[20p-P04-15] 光電子ホログラフィーによるMg-doped GaN中のMgドーパント局所構造解析

〇桑原田 進吾¹、上沼 睦典¹、富田 広人¹、田中 晶貴¹、孫 澤旭¹、橋本 由介¹、松下 智裕¹、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大)

キーワード：窒化ガリウム、ドーピングサイト

縦型 GaN MOS パワーデバイスの実現に向けて、デバイス設計の要求を満たすp型GaN形成プロセスが重要な課題となっている。そこで本研究では、Mg-doped GaN中のMg原子や周辺原子から成るドーパント局所構造を光電子ホログラフィーによって解明した。その結果、光電子ホログラフィーにより、p型GaNのMgドーパント局所構造を評価できることが明らかになった。