[20p-P04-1~21] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[20p-P04-19] Study on low-temperature Si-dots formation on SiC by Silicon-cap annealing with a-Si:H layer

〇Hiroaki Hanafusa¹, Seiichiro Higashi¹ (1.Hiroshima Univ.)

Keywords:Silicon carbide, Ohmic contact, Si dots

我々はこれまでにn型4H-SiC上にアモルファスSi層を堆積させた後に加熱処理を行うシリコンキャップアニール(SiCA)により、1100℃程度でSi層がドット化し、さらに、そのSiCA処理を行ったSiCに対しては電極金属を堆積するのみで低抵抗コンタクトが得られることを報告してきた。今回、水素化アモルファスシリコン（a-Si:H）を堆積し、脱水素処理を行わずにSiCAを行ったところ、さらに低い900℃でSi層のドット化が生じたので報告する。オーミックコンタクトを形成する熱処理プロセス低温化が期待される。