[20p-P04-1~21] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[20p-P04-20] Mapping of Ultra-High-Pressure Annealed n-GaN Schottky Contacts Using Scanning Internal Photoemission Microscopy

〇Hiroki Imabayashi¹, Kenji Shiojima¹, Tetsu Kachi² (1.Univ. of Fukui, 2.Nagoya Univ.)

Keywords:SIPM, UHPA, Gallium Nitride

近年、超高圧アニーリング(ultra-high- pressure annealing, UHPA)がGaNへのイオン注入後の活性化プロセスとして注目されているが、GaN表面に生じた熱ダメージが積層デバイスの特性へ影響を与えることが懸念される。本研究では、金属-半導体界面のプロセスダメージや熱劣化を可視化できる界面光顕微応答法（scanning internal photoemission micro- scopy, SIPM）を用い、イオン注入を行っていないAu/Ni/n-GaNショットキー接触へのUHPAプロセスの影響を評価した。