[20p-P04-1~21] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[20p-P04-20] 界面顕微光応答法による超高圧アニールn-GaNショットキー接触の二次元評価

〇今林 弘毅¹、塩島 謙次¹、加地 徹² (1.福井大院工、2.名大未来研)

キーワード：界面顕微光応答法、超高圧アニーリング、窒化ガリウム

近年、超高圧アニーリング(ultra-high- pressure annealing, UHPA)がGaNへのイオン注入後の活性化プロセスとして注目されているが、GaN表面に生じた熱ダメージが積層デバイスの特性へ影響を与えることが懸念される。本研究では、金属-半導体界面のプロセスダメージや熱劣化を可視化できる界面光顕微応答法（scanning internal photoemission micro- scopy, SIPM）を用い、イオン注入を行っていないAu/Ni/n-GaNショットキー接触へのUHPAプロセスの影響を評価した。