[20p-P04-1~21] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[20p-P04-3] 耐圧650Vパワーデバイスのスイッチング特性の比較

〇服部 佳晋¹、加地 徹² (1.大同大学、2.名古屋大学)

キーワード：パワー半導体

耐圧650Vのパワーデバイスとして、Si-IGBT、Si-Super Junction MOSFET、SiC-MOSFET、カスコードGaN-FETが市販されている。今回、同じ定格(耐圧650V、ドレイン電流40A)で同じパッケージ(TO-247)をもつ上記4つのデバイスを対象とし、ダブルパルス試験を用いて、スイッチング特性を比較した。