[20p-P04-1~21] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[20p-P04-4] High Temperature Resistant Interconnection for Power Devices by using Ni Nanoparticles and Al Microparticles Paste

〇(DC)Keiko Koshiba^1,2, Yasunori Tanaka², Tomonori Iizuka², Kohei Tatsumi^1,2 (1.Waseda Univ. IPS, 2.Waseda Univ. IPS Research Center)

Keywords:Semiconductor interconnection, Nano particle bonding, Power device interconnection

パワーデバイスの高温動作化に向けた高耐熱実装のために、金属ナノ粒子の低温焼結性を利用したダイボンディング材としてニッケルナノ粒子－アルミニウムマイクロ粒子混合接合材を作製した。Al膜付きSiチップと銅貼り絶縁基板との接合を行った結果、大気炉中加熱・無加圧の条件でシェア強度30MPaを超える接合強度が得られた。本接合材は接合時の雰囲気制御が不要で、無加圧加熱でAlに対して直接接合可能であることを明らかにした。