[21a-A102-1~7] 9.3 Nanoelectronics

△ [21a-A102-1] Electrical properties of metallic nanodot arrays formed on thermally oxidized and sputter deposited SiO₂ films

〇Takayuki Gyakushi¹, Ikuma Amano¹, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi¹, Masashi Arita¹, Yasuo Takahashi¹ (1.Hokkaido Univ.)

Keywords:single-electron device, self-assembled nanodot array, conductance oscillation

本研究では金属薄膜の成長初期に形成される自己組織化ナノドットアレイを用いたマルチドット単電子デバイスを作製し、電気特性を評価した。その結果、ドットの下地層の表面状態(熱酸化およびスパッタ成膜SiO₂)によりデバイスのコンダクタンスに数桁の差異が生じるものの、ナノドットアレイにおける単電子伝導発生のメカニズムは下地層(Fe核密度)に依らないということが示唆された。