[21a-A102-1~7] 9.3 ナノエレクトロニクス

△ [21a-A102-1] 熱酸化・スパッタ成膜SiO₂上に形成した金属ナノドットアレイの特性

〇瘧師 貴幸¹、天野 郁馬¹、福地 厚¹、有田 正志¹、高橋 庸夫¹ (1.北大院情報)

キーワード：単電子デバイス、自己組織化ナノドットアレイ、コンダクタンス振動

本研究では金属薄膜の成長初期に形成される自己組織化ナノドットアレイを用いたマルチドット単電子デバイスを作製し、電気特性を評価した。その結果、ドットの下地層の表面状態(熱酸化およびスパッタ成膜SiO₂)によりデバイスのコンダクタンスに数桁の差異が生じるものの、ナノドットアレイにおける単電子伝導発生のメカニズムは下地層(Fe核密度)に依らないということが示唆された。