[21a-A102-1~7] 9.3 ナノエレクトロニクス

△ [21a-A102-2] 原子層堆積絶縁膜の被覆による金属単電子トランジスタの安定性改善

〇岩田 賢明¹、坂本 剛²、アルカ シン³、佐藤 弘明⁴、猪川 洋⁴ (1.静岡大院・総合科学技術、2.静岡大・工、3.静岡大院・創造科学技術、4.静岡大・電子研)

キーワード：単電子トランジスタ

金属からなる単電子トランジスタ(SET: single-electron transistor)は、半導体からなるSETに比べ寄生抵抗が小さいため超高周波デバイスとして有望である。しかし、金属SETは電荷オフセットドリフトが大きく動作が不安定という欠点がある。そこで、本研究では、金属SETの安定性改善のための保護膜として原子層堆積法(ALD : atomic layer deposition)による絶縁膜に着目し、その評価を行ったので、その結果について発表する。