[21a-A102-1~7] 9.3 ナノエレクトロニクス

△ [21a-A102-5] エレクトロマイグレーション法によるナノギャップ形成に対する電界効果の検証II

〇本山 弘之^1,2、菅 洋志¹、島 久²、秋永 広幸²、内藤 泰久² (1.千葉工大、2.産総研)

キーワード：ナノギャップ、エレクトロマイグレーション、電界効果

ナノギャップ電極はelectromigration(EM)法を利用することで微小構造を形成できる．しかし，ナノギャップ形成位置がランダムであり，多端子形状への応用は困難であるという問題を抱えていた．前回，我々はEM法中に外部電界を印加することで，形成位置を制御できる可能性を報告した．今回，複数のゲート電圧を印加し，ナノギャップ形成位置に対するゲート電圧依存性を検証した．