[21a-A106-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [21a-A106-9] Ge(100)基板上にスパッタ成膜したエピタキシャルGeSn層の評価

〇田中 信敬¹、安部 和弥¹、星原 雅生¹、國吉 望月²、小林 拓真¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工、2.アルバック協働研)

キーワード：ゲルマニウムスズ、スパッタ、エピタキシャル

GeSn半導体はSn組成の増加や引張歪みの印加に伴い、バンド構造が間接遷移型から直接遷移型へ変調するため、近赤外領域の受発光素子として期待されている。しかしながら、Ge中へのSnの固溶限は1%と低く、成長中のSnの偏析や結晶欠陥が問題である。我々はこの問題の解決策として、現行のMBEやCVDではなく、スパッタ成膜によるGeSnのエピタキシャル成長を検討し、XPSやフォトルミネッセンス測定などを通じて物理特性評価を行った。