[21a-A406-1~8] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

△ [21a-A406-2] Constant pressure molecular-dynamics simulations of explosive crystallization in amorphous Ge

〇Shunya Nagaoka¹, Manabu Ishimaru¹ (1.Kyushu Inst. Technol.)

Keywords:explosive crystallization, amorphous Ge, molecular dynamics

アモルファス半導体へのパルスレーザー照射やフラッシュランプ熱処理により、結晶化が高速で進行する「爆発的結晶化」が生じることが報告されている。本研究では、定圧分子動力学法により温度勾配下におけるアモルファスGeの結晶化過程を調査した。その結果、過冷却液体層を介して、結晶化が高速で進行することが確認された。結晶粒の形態は実験結果を良く再現していた。