2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[21a-A406-1~8] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2022年9月21日(水) 09:00 〜 11:15 A406 (A406)

都甲 薫(筑波大)、山中 淳二(山梨大)

09:15 〜 09:30

[21a-A406-2] アモルファスGeにおける爆発的結晶化過程の定圧分子動力学法による解析

長岡 駿弥1、石丸 学1 (1.九州工大)

キーワード:爆発的結晶化、アモルファスGe、分子動力学法

アモルファス半導体へのパルスレーザー照射やフラッシュランプ熱処理により、結晶化が高速で進行する「爆発的結晶化」が生じることが報告されている。本研究では、定圧分子動力学法により温度勾配下におけるアモルファスGeの結晶化過程を調査した。その結果、過冷却液体層を介して、結晶化が高速で進行することが確認された。結晶粒の形態は実験結果を良く再現していた。