[21a-A406-1~8] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[21a-A406-3] Ge/SiO₂及びSi/Ge/SiO₂の低温成長とそのTEM観察

〇近藤 弘人¹、有元 圭介¹、原 康祐¹、山中 淳二¹ (1.山梨大)

キーワード：多結晶Si薄膜、多結晶Ge薄膜

非晶質基板上への半導体薄膜作製分野では、低温での成膜と高移動度半導体薄膜作製という相矛盾する課題の解決が望まれている。本研究ではこれらの両立を目指して実験をすすめた。その結果、合成石英ガラスウエハー上へ、300℃という低温で多結晶Ge薄膜を成膜することと、結晶Ge成膜後にSiを成長させる手法で400℃という低温で多結晶Si薄膜を成膜することに成功した。