[21a-A406-1~8] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

△ [21a-A406-4] Ge/Si積層構造の結晶化プロセスとその課題

〇(M2)坂根 健斗¹、野秋 元¹、三谷 祐一郎¹ (1.都市大理工)

キーワード：Si、Ge、フラッシュメモリ

3次元フラッシュメモリのシリコンチャネルの膜質や特性のさらなる改善が求められている．このような背景のもと、非晶質Geと非晶質Siを積層し、Geをシード層としSi層を大粒径化する技術（Advanced SPC）が提案されているが、Ge/Si界面での相互拡散によるSiGe層の形成により、エッチング後の界面（Si表面）が影響を受ける可能性がある。そこで本研究では、Ge/Si積層構造の結晶化プロセスとGe層エッチング後の表面ラフネストの関係を調べた。