[21a-A406-1~8] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

△ [21a-A406-4] A study of crystallization process in Ge/Si stacked layer

〇(M2)Kento Sakane¹, Hajime Noaki¹, Yuichiro Mitani¹ (1.Tokyo City Univ)

Keywords:Si, Ge, flash memory

3次元フラッシュメモリのシリコンチャネルの膜質や特性のさらなる改善が求められている．このような背景のもと、非晶質Geと非晶質Siを積層し、Geをシード層としSi層を大粒径化する技術（Advanced SPC）が提案されているが、Ge/Si界面での相互拡散によるSiGe層の形成により、エッチング後の界面（Si表面）が影響を受ける可能性がある。そこで本研究では、Ge/Si積層構造の結晶化プロセスとGe層エッチング後の表面ラフネストの関係を調べた。