The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022

Presentation information

Oral presentation

13 Semiconductors » 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[21a-A406-1~8] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

Wed. Sep 21, 2022 9:00 AM - 11:15 AM A406 (A406)

Kaoru Toko(Univ. of Tsukuba), Junji Yamanaka(Univ. of Yamanashi)

9:45 AM - 10:00 AM

[21a-A406-4] A study of crystallization process in Ge/Si stacked layer

〇(M2)Kento Sakane1, Hajime Noaki1, Yuichiro Mitani1 (1.Tokyo City Univ)

Keywords:Si, Ge, flash memory

3次元フラッシュメモリのシリコンチャネルの膜質や特性のさらなる改善が求められている.このような背景のもと、非晶質Geと非晶質Siを積層し、Geをシード層としSi層を大粒径化する技術(Advanced SPC)が提案されているが、Ge/Si界面での相互拡散によるSiGe層の形成により、エッチング後の界面(Si表面)が影響を受ける可能性がある。そこで本研究では、Ge/Si積層構造の結晶化プロセスとGe層エッチング後の表面ラフネストの関係を調べた。