[21a-B204-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[21a-B204-3] プロトンドープEuNiO₃薄膜を用いたReRAMのメモリ効果の評価

〇谷口 勇貴¹、李 好博¹、服部 梓¹、田中 秀和¹ (1.阪大産研)

キーワード：強相関電子系、イオントロニクス、抵抗変化型メモリ