[21a-B204-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[21a-B204-8] Au/MgOx/Au/Ti-ReRAM における電圧スイープ下での抵抗変化挙動

〇木村 洸希¹、清水 智弘¹、伊藤 健¹、新宮原 正三¹ (1.関西大理工)

キーワード：抵抗変化デバイス