[21a-C101-1~10] 13.8 光物性・発光デバイス

△ [21a-C101-4] 【注目講演】Eu添加GaN表面平坦化層導入による微傾斜(0001) InGaN量子井戸発光の均一性向上

〇(M1)大和 玲雄¹、市川 修平^1,2、竹尾 敦志¹、館林 潤¹、藤原 康文¹ (1.阪大院工、2.阪大電顕センター)

キーワード：GaN:Eu、マクロステップ、InGaN

微傾斜基板上の成長では、転位密度が低減する一方で成長表面に巨視的なマクロステップが生じる。また、InGaNなどの混晶層成長時に元素取り込み量の面内差異により発光の不均一性を誘起する。我々は、微傾斜サファイア(0001)上のGaN成長において、希土類元素のEuをin-situ添加することでマクロステップが解消することを見出している。そこで、微傾斜基板上のInGaN量子井戸構造に対して、Eu添加GaN層の有無による発光特性の変化について報告する。