[21a-C105-1~12] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[21a-C105-10] Resistivity reduction of fine metal line by KrF excimer laser annealing

Yasutsugu Usami¹, 〇Kaname Imokawa¹, Ryoichi Nohdomi¹, Kouji Kakizaki¹, Hakaru Mizoguchi¹ (1.Gigaphoton Inc.)

Keywords:Wiring resistance, Laser annealing, Grain size

先端ロジックデバイスでは配線幅の減少と配線層の増加により高集積化を実現してきた。しかし同時に配線の抵抗率が大幅に上昇し遅延や発熱といった問題がある。配線の結晶粒径が電子の平均自由行程とほぼ同じになった以降電子の粒界散乱により抵抗が急増し問題視されており、近年では配線結晶粒をレーザーにより制御する試みが実施されている。本稿ではCuおよびRuのKrFエキシマレーザーによる抵抗低減効果について報告する。