[21a-C105-1~12] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[21a-C105-11] 選択的中性無電解銅めっきでポリイミドフィルム上に形成した金属パターン

〇平野 雄大¹、杉浦 修¹ (1.千葉工大工)

キーワード：中性無電解銅めっき、センシタイジング-アクチベーション、集積回路

本研究は光化学反応を用い光が照射された箇所に触媒核を生成し，選択的中性無電解銅めっきを施すものである。感光性材料に塩化銅を検討しており，塩化銅へレーザー光照射することで中性無電解銅めっきの触媒核を生成する。レーザー光照射部分に銅めっきが施されたことが確認できれば，レジスト不要なプリント基板製造が可能である。