[21a-C105-1~12] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[21a-C105-3] 電気化学的酸化法によるTa酸化膜の形成とReRAMへの適用：酸化膜形成時の純水滴下効果

〇宮田 直仁¹、末木 学¹、石井 晶芳¹、高橋 昌男¹、茂庭 昌弘¹ (1.東京工科大工)

キーワード：半導体、陽極酸化、表面モフォロジー

IoTウェアラブルデバイスの低消費電力化, 小型化に向けて抵抗変化メモリ(ReRAM)が注目されている. ReRAMの主な作製方法にはいくつかあるが, 電気化学的酸化法は,低温・低コストで, 記憶層にあたる酸化膜を形成できる特徴がある. 酸化溶液の水分濃度30mMでReRAM特有のI-V特性が再現性よく観測されたと報告されている. 今回, 新しい製法として5µLの純水を滴下して試料を作製し, 評価した.