[21a-C105-1~12] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[21a-C105-7] Low resistivity Cu-layer deposition by selective-CVD used CuI as precursor

〇Gento Toyoda¹, Satoshi Yamauchi¹ (1.Ibaraki Univ.)

Keywords:selective-chemical vapor deposition, copper interconnect

ヨウ化銅（CuI）は低圧下で300℃程度に昇温することで面内安定化構造の三量体で昇華し、300～400^oC程度に加熱した基板上へ供給することで金属上へのみ選択的にCu層を形成することが可能である。先に我々は、このCu成長形態が成長温度および成長時間に強く依存していることを示したが、今回は、原料昇華速度の調整によるCu層の低抵抗率化を検討したので報告する。