[21a-C200-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[21a-C200-10] GaN への Mg イオン注入により形成される結晶欠陥の原子分解能分析

〇大築 立旺¹、狩野 絵美¹、片岡 恵太²、埋橋 淳³、櫻井 秀樹¹、上殿 明良⁴、成田 哲生²、Sierakowski Kacper⁵、Bockowski Michal^1,5、小林 功季¹、大久保 忠勝³、宝野 和博³、加地 徹¹、五十嵐 信行¹ (1.名古屋大、2.豊田中研、3.NIMS、4.筑波大、5.IHPP PAS)

キーワード：GaN、透過型電子顕微鏡

Mgイオン注入によるGaNのp型ドーピングでは、イオン注入後にドーパント活性化のためのアニールが行われ、その条件はドーパントの活性化率に決定的な影響を与える。本研究では、様々な条件で注入後アニール（1300℃－1480 ℃, 0.5min－90min）を行い、欠陥の構造解析と、アクセプタや補償センターの濃度の解析を行った。講演では透過型電子顕微鏡(TEM)で観察される4 種類の結晶欠陥について、TEM 解析から決定した各欠陥のバーガースベクトルと、アトムプローブトモグラフィー(APT)によって求めた各欠陥の Mg 凝集濃度の相関について報告する。