[21a-C200-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

[21a-C200-11] The impacts on acceptor formations of extended defects and Mg agglomeration in Mg-ion-implanted GaN

〇Emi Kano¹, Ritsuo Otsuki¹, Keita Kataoka², Jun Uzuhashi³, Hideki Sakurai¹, Akira Uedono⁴, Tetsuo Narita², Kacper Sierakowski⁵, Michal Bockowski⁵, Koki Kobayashi¹, Tadakatsu Ohkubo³, Kazuhiro Hono³, Tetsu Kachi¹, Nobuyuki Ikarashi¹ (1.Nagoya Univ., 2.Toyota Central Labs, 3.NIMS, 4.Univ. of Tsukuba, 5.IHPP PAS)

Keywords:GaN, TEM

Mgイオン注入によるGaNのp型ドーピングでは、イオン注入後にドーパント活性化のためのアニールが行われ、その条件はドーパントの活性化率に決定的な影響を与える。本研究では、様々な条件で注入後アニール（1300 ℃－1480 ℃, 0. 5 min－90 min）を行い、欠陥の構造解析と、アクセプタや補償センターの濃度の解析を行った。講演では、活性化アニール後に残留する結晶欠陥が、Mgアクセプタ形成に与える影響とそのメカニズムについて考察する。