9:30 AM - 9:45 AM
△ [21a-C200-3] High-rate growth of the OVPE-GaN crystal by the suppression of parasitic polycrystal growth around the wall using NH3 decomposition catalyst
Keywords:semiconductor, Gallium nitride, Oxide Vapor Phase Epitaxy
低コストGaNウェハの作製には、大口径かつ厚膜化可能なバルク結晶成長技術の開発が重要である。Ga2O ガスを用いた気相成長 (Oxide Vapor Phase Epitaxy) 法を用いてバルク結晶の作製を行っており、HClフリーのため原理的に長時間育成に期待できる。低核生成頻度条件により200 μm/h程度の高速成長に成功している。しかし現状、長時間の育成時に多結晶が一部発生し、厚膜化が阻害される問題がある。本研究では、高融点金属であるタングステンにより多結晶抑制低減を試みた。