[21a-C200-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [21a-C200-6] Improvement of a GaN Crystal Quality by Isotropic Pyramidal Growth Through Low-Temperature Condition in the Na-Flux Method

〇(D)Kazuma Hamada¹, Masayuki Imanishi¹, Keisuke Kakinouchi¹, Kanako Okumura¹, Takumi Yamada¹, Kosuke Nakamura¹, Kosuke Murakami¹, Shigeyoshi Usami¹, Mihoko Maruyama¹, Masashi Yoshimura^1,2, Yusuke Mori¹ (1.Grad. Sch. Of Eng. Osaka Univ., 2.ILE. Osaka Univ.)

Keywords:gallium nitride, Na-Flux method, crystal growth

Naフラックス法ではこれまで高品質なGaN結晶を作製してきたが、成長条件によっては従来よりも品質の悪い結晶が得られることがあり、その原因も不明であった。今回、成長初期に低温成長を用いることで結晶品質が向上することが分かった。さらに初期に低温成長を用いることでGaN結晶の六角錐形状が等方的になっていることが分かり、結晶品質の悪化は異方的な六角錐形状によって引き起こされていることも示唆された。