[21a-C200-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [21a-C200-8] Planarization of {2021} GaN Single Crystals by Li Addition Using Na Flux Method

〇Hibiki Takahashi¹, Ricksen Tandryo¹, Hamada Kazuma¹, Murakami Kosuke¹, Usami Shigeyoshi¹, Imanishi Masayuki¹, Maruyama Mihoko¹, Yoshimura Masashi^1,2, Mori Yusuke¹ (1.Grad. Sch. of Eng., Osaka Univ., 2.ILE, Osaka Univ.)

Keywords:gallium nitride, Na flux method

半極性 {20-21} 面GaNは、従来用いられているc面GaNに比べてピエゾ分極の影響が少ないため、発光デバイスに応用することで発光効率の向上が期待されているが、現状として大口径かつ高品質な {20-21} 面GaN結晶が存在していない。そこで本研究では、Naフラックス法を用いて {20-21} 面GaN結晶の大口径化及び高品質化に取り組んでいる。今回、Naフラックス法を用いた半極性面GaN結晶成長においてLiを添加することで結晶表面が平坦になることを初めて発見した。