[21a-C200-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [21a-C200-8] Naフラックス法を用いたLi添加による {2021} 面GaN単結晶の平坦化

〇高橋 響¹、Ricksen Tandryo¹、濱田 和真¹、村上 航介¹、宇佐美 茂佳¹、今西 正幸¹、丸山 美帆子¹、吉村 政志^1,2、森 勇介¹ (1.阪大院工、2.阪大レーザー研)

キーワード：窒化ガリウム、Naフラックス

半極性 {20-21} 面GaNは、従来用いられているc面GaNに比べてピエゾ分極の影響が少ないため、発光デバイスに応用することで発光効率の向上が期待されているが、現状として大口径かつ高品質な {20-21} 面GaN結晶が存在していない。そこで本研究では、Naフラックス法を用いて {20-21} 面GaN結晶の大口径化及び高品質化に取り組んでいる。今回、Naフラックス法を用いた半極性面GaN結晶成長においてLiを添加することで結晶表面が平坦になることを初めて発見した。