[21a-C202-1~12] 17.3 層状物質

[21a-C202-3] オキシクロライドCVD法によるサファイア基板上WS₂のリモート触媒成長

〇佐久間 芳樹¹、楊 旭¹、池田 直樹¹ (1.物材機構)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、気相成長