[21a-C206-1~13] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[21a-C206-10] MOS界面電荷クーロン遮蔽のシミュレーション

〇福田 浩一¹、岡 博史¹、服部 淳一¹、浅井 栄大¹、飯塚 将太¹、太田 裕之¹、森 貴洋¹ (1.産総研)

キーワード：半導体、デバイスシミュレーション、クーロン遮蔽

MOS界面に置いた点電荷のクーロン遮蔽が低温で強くなることを数値シミュレーションで定量的に求めた