[21a-C206-1~13] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

△ [21a-C206-11] リカレントニューラルネットワークを用いたランダム不純物分布を有するナノワイヤ中での電子密度分布の時間発展予測モデル

〇小林 祐貴¹、原田 和輝¹、伊藤 佳卓¹、須子 統太²、村口 正和¹ (1.北科大工、2.早大)

キーワード：電子ダイナミクス、リカレントニューラルネットワーク、デバイス物理

電子波動関数の時間発展データを学習することで、初期の電子密度分布からその後の時間発展を予測するモデリング手法に挑戦している。これまで電子の時間発展計算をリカレントニューラルネットワーク(RNN)でモデル化し、予測する方法を提案したが、十分な予測精度が得られないという課題が残っていた。そこで、本研究では初期電子密度に加え、不純物ポテンシャル分布も入力として加えることでモデルの精度を高めることを目指した。