[21a-C206-1~13] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[21a-C206-5] Fabrication and Characterization of GeO₂/Ge-based MOS Devices After Controlled Adsorption of Water Molecules

〇(M1)Shuto Sano¹, Yohei Wada¹, Kentaro Kawai¹, Rongyan Sun¹, Kazuya Yamamura¹, Kenta Arima¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:germanium oxide, water adsorption, MOS structure

GeO₂/Ge界面は、大気に触れると正の固定電荷が生成されることが知られている。そこで、大気中のガス分子の中でも水分子に着目した我々は、独自の装置を用い、制御された湿度雰囲気に曝された履歴を持つGeO₂/Ge界面の電気的性質をMOS構造の容量-電圧特性により評価することを試みた。その結果、GeO₂/Ge構造を暴露した湿度に応じて、容量-電圧特性が特徴的に変化することを確認した。