[21a-C206-1~13] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[21a-C206-7] 乱れたInP量子ドットのエネルギー分布解析

〇Lim JIN HYONG¹、森 伸也¹ (1.阪大院工)

キーワード：量子ドット、シミュレーション、原子論モデル

実際の量子ドットデバイスでは，量子ドットに表面ラフネスなどの乱れが存在すると考えられ，多数の乱れた量子ドットの電子状態解析を行い，統計的な理解を得ることが重要である．本研究では，経験的強束縛近似法を用いて，乱れた量子ドットのエネルギー準位を計算することにより，表面ラフネス，形状，歪みなどの乱れが量子ドットのエネルギー分布に及ぼす影響を調べた．