[21a-C301-1~10] 3.12 半導体光デバイス（旧3.13）

[21a-C301-2] GaAs基板上1.3 μm帯GaInAs/GaAsSb/GaInAs ”W”型Type-II量子井戸レーザ

〇冬木 琢真¹、呉 剛志¹、井上 大輔¹、吉永 弘幸¹、江川 満¹、石塚 貴司¹、吉本 晋¹、Peter Ludewig²、Ada Bäumner²、Antje Ruiz Perez²、Wolfgang Stolz² (1.住友電工　伝送デバイス研、2.NAsP III/V GmbH)

キーワード：半導体レーザ、タイプ2、GaAsSb

データ通信量の増大等を背景に、1.3 μm帯半導体レーザの高温・高出力動作が望まれている。現行のInP基板上InGaAsP系1.3 μm帯半導体レーザは、バンドオフセットが小さいことによる高温領域での出力低下が課題である。我々は、高バンドオフセット材料の成長が可能なGaAs基板上でかつ、Type-IIの遷移を利用することで長波長化が可能なGaInAs/GaAsSb系に着目し、リッジ型ファブリペロー構造での1.3 μm帯レーザ発振を実現したので報告する。