[21a-C301-1~10] 3.12 Semiconductor optical devices (formerly 3.13)

[21a-C301-5] Wide wavelength emission in mid-infrared region from InAs/GaSb superlattice grown by MOVPE method.

〇Yuto Iwakiri¹, Masakazu Arai¹, Fujisawa Takeshi², Koji Maeda¹ (1.Miyazaki Univ., 2.Hokkaido Univ.)

Keywords:superlattice, mid-infrared emission, photoluminescence

MOVPE法で作製したInAs/GaSb超格子の広域発光を目的にPLの励起強度を変化させて20Kで実験を行い、計算値と比較を行った。低励起、低キャリア濃度では4.7µmにピークがあり、ミニバンド間の最低のエネルギー準位で遷移した。高励起、高キャリア濃度では2.5µmにショルダーが現れ、これは量子準位のさらに高いエネルギー間の遷移の発光と考えられる。これにより広域発光が確認できた。