[21a-M206-1~13] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

△ [21a-M206-11] Degradation of NO-Nitrided 4H-SiC(11-20) MOS Devices by UV Irradiation

〇Hiroki Fujimoto¹, Takuma Kobayashi¹, Mitsuru Sometani², Mitsuo Okamoto², Takayoshi Shimura¹, Heiji Watanabe¹ (1.Osaka Univ., 2.AIST)

Keywords:Silicon carbide, MOS

窒化時間を変えて作製したSiO2/SiC(11-20)面試料へエキシマ紫外光を照射し、電気特性変動を評価した。その結果、エキシマ紫外光を照射することで、窒化したSiC MOSキャパシタの界面準位密度、フラットバンド電圧安定性が劣化した。また、導入された窒素量と電気特性劣化に相関があることも示唆された。以上の結果は、極限環境下での窒化SiO2/SiC界面の使用は信頼性の観点で懸念があることを示している。