[21a-M206-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [21a-M206-11] 紫外光照射によるNO窒化4H-SiC(11-20) MOSデバイスの電気特性劣化

〇藤本 博貴¹、小林 拓真¹、染谷 満²、岡本 光央²、志村 孝功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工、2.産総研)

キーワード：炭化ケイ素、MOS

窒化時間を変えて作製したSiO2/SiC(11-20)面試料へエキシマ紫外光を照射し、電気特性変動を評価した。その結果、エキシマ紫外光を照射することで、窒化したSiC MOSキャパシタの界面準位密度、フラットバンド電圧安定性が劣化した。また、導入された窒素量と電気特性劣化に相関があることも示唆された。以上の結果は、極限環境下での窒化SiO2/SiC界面の使用は信頼性の観点で懸念があることを示している。