[21a-M206-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[21a-M206-5] 3レベルチャージポンピング法を用いた4H-SiC MOSFETの界面近傍酸化膜トラップの酸化膜内密度分布の検討

〇(M2)秋葉 淳宏¹、矢野 裕司¹ (1.筑波大学)

キーワード：半導体、SiC

本研究ではNITの酸化膜分布やE > E_C,SiCの領域におけるNITの影響を考察した。また、E > E_C,SiCのNITに由来する3LCP特性の計算を行ったところ、CP電流が非常に小さく、実測で見られた電流値が減少ののち増加に転じる特性は現われないことが分かった。