[21a-M206-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [21a-M206-6] AC ゲートストレス印加による SiC-MOSFET のしきい値電圧変動評価

〇(M1)円城寺 佑哉¹、岩室 憲幸¹、矢野 裕司¹ (1.筑波大)

キーワード：SiC、しきい値電圧変動、ACストレス

SiC-MOSFETは、SiO₂/SiC界面に存在する多量の界面準位や酸化膜トラップの影響により起こるしきい値電圧変動（ΔV_th）の抑制が課題である。特に、ACストレス印加時にみられる恒久的な変動メカニズムの詳細は未解明なため、その解明を目的として種々の条件でACストレス試験を行った。その結果、反転・蓄積を繰り返すバイポーラAC時に大きな正のΔV_thが起こり、再結合量及び再結合回数がΔV_thに大きな影響を与えていることを示した。