[21a-M206-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[21a-M206-8] [講演奨励賞受賞記念講演] SiC (0001), (11-20), (1-100) MOSFETにおけるHall移動度のボディ層濃度依存性

〇伊藤 滉二¹、田中 一^1,2、堀田 昌宏^1,3、須田 淳^1,3、木本 恒暢¹ (1.京大院工、2.阪大院工、3.名大院工)

キーワード：SiC、MOS、MOSFET