[21a-M206-1~13] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

△ [21a-M206-9] Leakage current characteristics in NO-annealed SiC(1-100) MOS devices.

〇Asato Suzuki¹, Takuma Kobayashi¹, Mitsuru Sometani², Mitsuo Okamoto², Takayoshi Shimura¹, Heiji Watanabe¹ (1.Osaka Univ., 2.AIST)

Keywords:power device, SiC, semiconductor

熱酸化SiO₂/SiC界面には高密度の欠陥が存在し、SiC MOSFETのチャネル移動度低下の要因となっている。移動度向上の手段として、一般にNO窒化処理が用いられる。窒化後の移動度は面方位によって大きく異なり、SiC(1-100)面（m面）や(11-20)面（a面）といった非基底面上のMOSFETは、(0001)面（Si面）に比べ高いチャネル移動度（~ 100 cm²V^-1s^-1）を示す。しかし非基底面MOSデバイスの絶縁性に関する詳細な検討は少ない。そこで本研究では、窒化を施したm面MOSデバイスのリーク電流特性を広い温度範囲（25 – 200°C）で評価・解析した。