[21a-M206-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [21a-M206-9] NO窒化処理を施したSiC(1-100) MOSデバイスのリーク電流特性

〇鈴木 亜沙人¹、小林 拓真¹、染谷 満²、岡本 光央²、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工、2.産総研)

キーワード：パワーデバイス、SiC、半導体

熱酸化SiO₂/SiC界面には高密度の欠陥が存在し、SiC MOSFETのチャネル移動度低下の要因となっている。移動度向上の手段として、一般にNO窒化処理が用いられる。窒化後の移動度は面方位によって大きく異なり、SiC(1-100)面（m面）や(11-20)面（a面）といった非基底面上のMOSFETは、(0001)面（Si面）に比べ高いチャネル移動度（~ 100 cm²V^-1s^-1）を示す。しかし非基底面MOSデバイスの絶縁性に関する詳細な検討は少ない。そこで本研究では、窒化を施したm面MOSデバイスのリーク電流特性を広い温度範囲（25 – 200°C）で評価・解析した。