[21p-A102-1~10] 9.3 Nanoelectronics

[21p-A102-2] Noise-energy conversion in an aF DRAM

〇Kensaku Chida¹, Akira Fujiwara¹, Katsuhiko Nishiguchi¹ (1.NTT BRL)

Keywords:Silicon nanodevice, Electron counting statistics, Noise

ナノデバイスは、量子効果や帯電効果を利用できるため、効率的なエネルギー変換を実
現できる可能性がある。本研究では、aF キャパシタDRAM に白色ノイズを印可することで発
生する電荷蓄積を単電子計数統計によって観測した。この電荷蓄積はaF キャパシタDRAM 中で
ノイズが整流されてエネルギーに変換されたことによるものである。