[21p-A102-1~10] 9.3 ナノエレクトロニクス

[21p-A102-3] ナノ凸構造埋込みSi MOSFETにおけるナノ構造と電気特性の対応

〇三ツ谷 拓真¹、水野 慎太郎¹、葛西 誠也¹ (1.北大　量集センター)

キーワード：半導体