[21p-A106-1~18] 15.5 Group IV crystals and alloys

△ [21p-A106-14] Study on Layer Transfer of Ultrathin Ge Crystals Segregated on Al/Ge(111)

〇Keigo Matsushita¹, Akio Ohta¹, Shigehisa Shibayama¹, Noriyuki Taoka¹, Katsunori Makihara¹, Seiichi Miyazaki¹ (1.Nagoya Univ.)

Keywords:Ultrathin Ge crystals, Segregation, Layer Transfer

Al/Ge(111)構造上に偏析した極薄Ge結晶の転写技術の構築を目的として、プラズマ処理による表面改質およびSiO₂/Si基板への張り合わせに取り組んだ。プラズマ処理によりAl/Ge(111)上に偏析した極薄Geの化学結合状態や表面平坦性を乱すことなく試料表面の親水化ができた。また、試料を張り合わせた後、化学機械研磨と化学溶液処理によりAlを残しGe基板を取り除くことができた。