[21p-A106-1~18] 15.5 Group IV crystals and alloys

△ [21p-A106-13] Triaxial Strain Evaluation for Carbon-doped Silicon Nanowire using X-ray Reciprocal Space Mapping (III)

〇Kazutoshi Yoshioka^1,2, Kirito Cho¹, Yuta Ito¹, Sho Sugawa¹, Ichiro Hirosawa^2,3, Takeshi Watanabe⁴, Ryo Yokogawa^1,2, Atsushi Ogura^1,2 (1.Meiji Univ., 2.MREL, 3.SAGA-LS, 4.JASRI)

Keywords:Carbon-doped silicon, Strain, Reciprocal space mapping

本研究では、ナノワイヤ状に微細加工したカーボンドープシリコン(Si:C)（C濃度: 0.60%）における歪緩和の詳細な挙動について検討した。結果として、Si:C薄膜をナノワイヤ状に微細加工したことで面内方向の歪緩和が生じたが、Si:Cナノワイヤの幅が200 nmになるとナノワイヤの方位によってRSMプロファイルが異なる傾向を示し、結晶方位によって微細加工に伴う歪緩和に差が生じることが示された。