[21p-A205-1~21] 3.14 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス（旧3.15）

△ [21p-A205-12] プラズモン導波路受光器のためのAu-InGaAs合金の光学特性評価

〇(M2)中山 武壽¹、カシディット トープラサートポン¹、高木 信一¹、竹中 充¹ (1.東大工)

キーワード：シリコンフォトニクス、受光器、III-V族半導体

近年、データ通信量は増加し続けており、光通信システムにおける光検出器の動作速度の向上は不可欠である。広帯域化と高感度を同時に達成するために、2つの金属間のギャップに光を強く閉じ込めたプラズモン導波路を受光器に応用したプラズモン導波路受光器が研究されている。本研究ではIII-V on insulator (III-V-OI)プラットフォーム上で、AuとInGaAsの合金を利用したプラズモン導波路受光器を提唱する。InGaAsは高い電子移動度と大きな光吸収を持つため、受光器において高速動作と高感度が期待される。本報告ではAu-InGaAs合金の光学定数を測定するとともに、シミュレーションによりAu-InGaAs合金がプラズモン導波路受光器に応用可能であることを検証したので報告する。